总结

NAND 是大多数 SSD 中的存储介质，将数据存储在单元中。每个单元格都包含一个表示数据的电荷。我们将把一个电池与一个电池联系起来，因为每个电池层都被解释了。

SLC公司

SLC是指单层单元，是NAND单元的基本用途。它是最快和最昂贵的（每 GB 美元）。

• SLC 可以为每个单元存储一位数据：
  • 0 或 1
• 这需要两个状态来测量：
  • 一个状态可以为空。
  • 另一个状态不为空。
• 给电池充电（或写入电池）很容易。
  • 任何大于空值的内容都会将位从 1 更改为 0。
• 检查电荷（或读取电池）也很容易，只需检查一次：
  • 检查单元格是否为空，
  • 如果为 true，则 bit 为 1
  • 如果为 false。bit 为 0

MLC公司

MLC 的意思是多级单元，名称不好。它比 SLC “成本更低”，因为增加的位使存储量翻了一番，而 NAND 没有变化。
实际成本在于性能，因为需要额外的精度和检查。性能低于 SLC。

• MLC 每个单元可以存储 2 位数据：
  • 00, 01,
  • 10, 11
• MLC 需要四个州进行测量：
  • 空+ 三种充电状态。
• 读写比 SLC 更复杂：
  • 充电（写入）必须精确充电，否则会保存错误的位序列。
  • 检查（读取）将需要多次尝试。

薄

TLC 代表 三层单元。TLC 的成本低于 MLC，因为添加的位使每个单元的存储空间增加 33%。
由于更高的精度和检查，成本再次体现在性能上。

• TLC 每个单元可以存储三个位：
  • 000, 001, 010, 011,
  • 100, 101, 110, 111
• TCL需要八个状态来衡量：
  • 空 + 七种充电状态。
• 电荷状态更小，更紧密。
• 读写比MLC更难：
  • 写作需要更高的准确性。
  • 读取需要更多的检查才能获得正确的范围（数据）。

（看到趋势了吗？

QLC公司

QLC 代表 四层单元。QLC 的成本低于 TLC，因为添加的位为每个单元提供了 25% 的存储空间。
由于更高的精度和检查，成本甚至更高。

• QLC 每个单元可以存储四个位：
  • 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111
  • 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110, 1111
• QCL 要求 16 个州进行测量：
  • 空 + 15 个充电状态。
• 国家和它们之间的空间进一步缩小。
  • 阅读和写作比 TLC 更难。
  • 更高的写入精度，更多的读取检查。

PLC系列

PLC 代表 Penta Level Cell。PLC 的成本低于 QLC，因为每个单元多增加了 20% 的存储空间。
由于更高的精度和检查，成本甚至更高。
它已被证明是可能的，但没有产品使用它（在撰写本文时）。

• PLC 每个单元可以存储 5 位：
  • 00000, 00001, 00010, 00011, 00100, 00101, 00110, 00111, 01000, 01001, 01010, 01011, 01100, 01101, 01110, 01111
  • 10000, 10001, 10010, 10011, 10100, 10101, 10110, 10111, 11000, 11001, 11010, 11011, 11100, 11101, 11110, 11111
• QCL 要求 16 个州进行测量：
  • 空 + 三十一个充电状态。
  • 状态和它们之间的空间缩小得如此之多，以至于我们的图像无法显示每个状态下的位序列。
• QLC 的阅读和写作变得更加困难。
  • 最高的写入精度和读取检查精度。

结论

优点

• 随着比特的增加，每个单元的容量会增加，同时保持NAND的成本不变。
  • 公司使用相同数量的物理 NAND，但您可以获得更高的容量。
• 级别越多，每 GB 价格越低。

缺点

• 性能和耐久性随着钻头的增加而降低。
  • SSD 设计和固件用于恢复性能损失。
• 如果您正在寻找性能，最好是每个单元的位数更少。
  • 如果您正在寻找最低的成本，则每个单元的更高位数是最好的。

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